Προβολή Εργασίας
ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΗΣ ΤΑΧΕΙΑΣ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΑΝΟΠΤΗΣΗΣ ΣΤΟ ΘΟΡΥΒΟ ΔΙΟΔΩΝ SCHOTTKY AU/N-GAAS ΠΟΥ ΠΕΡΙΛΑΜΒΑΝΟΥΝ ΚΒΑΝΤΙΚΑ ΣΗΜΕΙΑ INAS
N. Αρπατζάνης1, A. Τσορμπατζόγλου1, Χ. Δημητριάδης1, Κ. Χαριτίδης2, Φ. Χουλιάρας2, J.I. Lee3, Χ. Μπακολιάς4
1 Τμήμα Φυσικής, Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης
2 Σχολή Χημικών Μηχανικών, Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο
3 Nano Device Research Center, Republic Of Korea
4 ZHNΩΝ Α.Ε. |
ΣΥΝΤΟΜΗ ΠΕΡΙΛΗΨΗ
Τα κβαντικά σημεία (quantum-dots, QDs) ημιαγωγών παρουσιάζουν μεγάλο ενδιαφέρον για την κατασκευή νανο-ηλεκτρονικών διατάξεων, όπως τρανζίστορ και μνήμες ενός ηλεκτρονίου, που αναμένεται να παρουσιάζουν υψηλό βαθμό ολοκλήρωσης, μεγάλη ταχύτητα λειτουργίας και κατανάλωση μικρής ισχύος. Υπάρχει ισχυρό ενδιαφέρον για την ανάπτυξη της κατάλληλης τεχνολογίας των υλικών και των διαδικασιών κατασκευής με σκοπό την αύξηση της θερμοκρασίας λειτουργίας, ώστε φωτο-ανιχνευτές QDs να είναι εμπορικά εκμεταλλεύσιμοι.
Στην παρούσα εργασία μελετώνται οι ηλεκτρικές τους ιδιότητες και στις ιδιότητες των παγίδων ηλεκτρονίων και
διερευνάται η εξάρτηση από τη θερμοκρασία του θορύβου χαμηλών συχνοτήτων στην περιοχή θερμοκρασίας 77-298 Κ και σε συχνότητες από 1 Hz έως 100 kHz διόδων Schottky Au/n-GaAs, που περιλαμβάνουν κβαντικά σημεία InGaAs στα υμένια GaAs.
Λέξεις Κλειδιά
κβαντικά σημεία, ηλεκτρικές ιδιότητες, λεπτά υμένια
|
|
